30 Minuten

für gelungene Selbst-PR

Stèphane Etrillard

Gabal Verlag 2006, 1. Auflage, 80 Seiten, 6,50 EURO


„Um Erfolg zu haben, musst du den Standpunkt des anderen annehmen und die Dinge mit seinen Augen betrachten." (Henry Ford)

Wie Sie andere von sich und Ihren Fähigkeiten überzeugen, sich selbst ins rechte Licht rücken. Wodurch Sie sich geschickt selbst positiv darstellen, Ihre Stärken erkennen und ausbauen, Ihr eigenes Potential gründlich analysieren und darauf aufbauend effektive Selbst-PR betreiben können.

Lesen Sie, wie Sie

•  Ihre Stärken erkennen und ausbauen,
•  mehr aus Ihrem Typ machen,
•  das eigene Potenzial analysieren und dann konsequent ausbauen,
•  sowie Ziele finden und zielstrebig darauf zusteuern können.

Quelle: Buchbeschreibung des Verlages

 

 

Stéphane Etrillard gilt als führender europäischer Experte zum Thema "persönliche Souveränität". Bei Entscheidern und Führungskräften ist er als Ratgeber und "Trainer der neuen Generation" gesucht und bekannt und genießt als Coach und Autor einen hervorragenden Ruf.

Mit seinen offenen Seminaren im Bereich Rhetorik und Dialektik sowie zum Thema Selbst-PR verhilft er seinen Teilnehmern zu mehr Souveränität in allen Lebenslagen. Stéphane Etrillard vermittelt Kompetenz aus der Praxis für die Praxis. Sein bewährtes Know-how entstand in der Beobachtung und Begleitung von mehreren Tausend Führungskräften und Verkäufern aus unterschiedlichsten Branchen. Zu seinen Privatklienten zählen Manager aus Top-Unternehmen, mittelständische Unternehmer und Politiker sowie viele Menschen, die sich bei ihm neue Impulse holen, um ihre Kommunikation zielführender zu gestalten. Durch zahlreiche Vorträge und Publikationen ist er einem breiten Publikum bekannt geworden.
www.etrillard.com 

 

 

Literatur-Tipp

Silizium-Halbleitertechnologie

Grundlage der mikroelektronischen Integrationstechnik ist die Silizium-Halbleitertechnologie. Sie setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen 100 nm gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht des Anwenders erläutert.
 

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